半導体装置

Semiconductor device

Abstract

(57)【要約】 【目的】 埋め込み性を劣化させることなく、かつ、機 能素子の特性が良好に保てる層間絶縁膜を備えた半導体 装置を提供する。 【構成】 p型シリコン基板1に素子分離用シリコン酸 化膜2が形成される。その後、ゲート電極3およびソー ス領域およびドレイン領域が形成されてMOSトランジ スタが形成される。次に、シリコン酸化膜が基板全面に 堆積され、第1層間酸化膜4が形成される。その後、第 1メタル配線5が形成され、さらに基板全面にアモルフ ァスカーボン膜6が形成される。次に、このアモルファ スカーボン膜6上にp−TEOS膜7、SOG膜8が形 成され、キャップとしてp−TEOS膜9が形成され る。この結果、MOSトランジスタと水分を含有する層 間絶縁膜との間にアモルファスカーボン膜6が形成され る。
PURPOSE: To provide a semiconductor device with a layer insulation film which can hold characteristic of a functional element good without deteriorating burying property. CONSTITUTION: An isolation silicon oxide film 2 is formed in a p-type silicon substrate 1. Thereafter, a gate electrode 3 and a source region and a drain region are formed and an MOS transistor is formed. A silicon oxide film is deposited all over a substrate and a first layer interlaminar oxide film 4 is formed. Then, a first metal wiring 5 is formed and an amorphous carbon film 6 is further formed all over a substrate. A p-TEOS film 7 and an SOG film 8 are formed on the amorphous carbon film 6 and a p-TEOS film 9 is formed as a cap. As a result, the amorphous carbon film 6 is formed between an MOS transistor and a water containing layer insulation film.

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