Plasma sputtering method by excitation with electron beam



(57)【要約】 【目的】基板に合成金属によるスパッタリングを介して の膜をコーティングするに、基板の照射損傷が少く成膜 の堆積速度が効率良く、磁性体のスパッタリングが可能 になるようにされるようにする。 【構成】反応室16にアルゴンガス19を供給し電子ビ ームガン17' から加速電極34を介し加速された電子 ビーム39' を照射し、プラズマを生成しプラズマ中の イオン40をターゲット21に引き込みスパッタリング 粒子を生じさせて基板6上に堆積してコーティングす る。 【効果】反応室16に於ける軸方向、及び、径方向の電 位差が少くターゲットに流入するアルゴンのイオンのフ ラックスやエネルギーやプラズマ生成条件を独立に相互 に制御することが出来、ターゲットや基板とプラズマの 位置関係を当該プラズマ生成とは独立して設定すること が出来る。
PURPOSE:To make it possible to execute coating of a substrate with films as designed by impressing a DC or RF voltage on a target. CONSTITUTION:The substrate 6 is held to face the target 21 in a reaction chamber 16. Plasma 38 is formed by irradiation with an electron beam 39 and the ions 40 in the plasma 38 are withdrawn to the substrate 6 to form the film thereon. The DC or RF voltage is, thereupon, impressed on the target 21 by using a power source 23 for biasing. The DC or RF voltage for biasing is independently impressed on the substrate 6 by using this power source 23 for biasing. The plural targets may be arranged and may be concentrically arranged as well. As a result, flux, energy and plasma forming conditions (gaseous pressure, etc.) of the ions flowing into the target are mutually and independently controllable.




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